2 MOSFET Vishay Duale, canale Tipo P, Tipo N, 0.251 Ω, 4 A 100 V, PowerPAK 1212-8 doppio, Superficie Miglioramento, 8

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
228-2925
Codice costruttore:
SiS590DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P, Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

PowerPAK 1212-8 doppio

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.251Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.5nC

Dissipazione di potenza massima Pd

23.1W

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N e P da -100 V Combo Vishay.

Testato al 100% Rg e UIS

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