MOSFET onsemi, canale Tipo N 500 V, 3 Ω N, 2 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie FDT4N50NZU

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
229-6327
Codice costruttore:
FDT4N50NZU
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

500V

Tipo di package

SOT-223

Serie

UniFET II

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3Ω

Modalità canale

N

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9.1nC

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.7mm

Larghezza

3.7 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.7mm

Standard automobilistico

No

MOSFET ad alta tensione UniFET II on Semiconductor basato su Advanced Planar stripe e tecnologia DMOS. Questo MOSFET Advanced è dotato della più piccola resistenza in stato attivo tra i MOSFET planari e offre anche prestazioni di commutazione superiori e una maggiore resistenza all'alimentazione a valanga. È adatto per applicazioni di conversione di potenza switching, come ad esempio correzione del fattore di potenza, display a schermo piatto, alimentazione TV, ATX e resistenze per lampade elettroniche.

Carica di gate ultra bassa

Testato con effetto valanga al 100%

Senza piombo−

Senza alogeni

Conformità RoHS

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