MOSFET onsemi, canale Tipo N 800 V, 600 mΩ N, 8 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

2337,50 €

(IVA esclusa)

2852,50 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 29 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2500 +0,935 €2.337,50 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
229-6454
Codice costruttore:
NTD600N80S3Z
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Serie

SUPERFET III

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

600mΩ

Modalità canale

N

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15.5nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

60W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

2.39 mm

Lunghezza

6.73mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

6.22mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET serie SUPERFET III on Semiconductor consente di realizzare applicazioni più efficienti, compatte, fredde e più robuste grazie alle sue notevoli prestazioni in applicazioni di potenza di commutazione come adattatore per laptop, audio, illuminazione, alimentatori ATX e alimentatori industriali.

Maggiore affidabilità del sistema a bassa temperatura di esercizio

Minore perdita di commutazione

Capacità ESD migliorata con diodo Zener

Capacità ottimizzata

Link consigliati