MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 9.5 mΩ, 66 A, 8 Pin, SO-8, Superficie ISC0602NLSATMA1
- Codice RS:
- 232-6749
- Codice costruttore:
- ISC0602NLSATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 confezione da 5 unità*
9,72 €
(IVA esclusa)
11,86 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 4995 unità in spedizione dal 29 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,944 € | 9,72 € |
| 50 - 120 | 1,75 € | 8,75 € |
| 125 - 245 | 1,632 € | 8,16 € |
| 250 - 495 | 1,516 € | 7,58 € |
| 500 + | 1,418 € | 7,09 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 232-6749
- Codice costruttore:
- ISC0602NLSATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 66A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Tipo di package | SO-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 9.5mΩ | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 22nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 60W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 6.1mm | |
| Altezza | 5.35mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 66A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Tipo di package SO-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 9.5mΩ | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 22nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 60W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 6.1mm | ||
Altezza 5.35mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza PD OptiMOS 80 V di Infineon è progettato per applicazioni USB-PD e adattatori. Il contenitore SuperSO8 offre un rapido incremento e tempi di consegna ottimizzati. I MOSFET a bassa tensione OptiMOS per l'erogazione di potenza consentono progetti con meno parti che portano alla riduzione dei costi BOM. OptiMOS PD è dotata di prodotti di qualità in contenitori compatti e leggeri.
Disponibilità a livello logico
Eccellente comportamento termico
Testato con effetto valanga al 100%
Link consigliati
- MOSFET Infineon 9.5 mΩ 8 Pin Superficie
- MOSFET Vishay 22 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Vishay 22 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie SI4896DY-T1-E3
- MOSFET Infineon 13.4 mΩ 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 13.4 mΩ 8 Pin Superficie IRF7854TRPBF
- MOSFET Infineon 66 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 9.5 mΩ WDSON, Superficie
- MOSFET Infineon 66 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie BSC340N08NS3GATMA1
