MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 13.4 mΩ, 10 A, 8 Pin, SO-8, Superficie
- Codice RS:
- 257-9321
- Codice costruttore:
- IRF7854TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 4000 unità*
2564,00 €
(IVA esclusa)
3128,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 4000 + | 0,641 € | 2.564,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 257-9321
- Codice costruttore:
- IRF7854TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 10A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | SO-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 13.4mΩ | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±20 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 27nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.5W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 10A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package SO-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 13.4mΩ | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±20 V | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 27nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.5W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Standard automobilistico No | ||
La serie IRF Infineon è un potente mosfet di potenza IRFET a canale n da 80 V in un contenitore SO 8. La robusta famiglia di potenza IRFET Mosfet è ottimizzata per bassi RDS (on) e capacità di corrente elevata. I dispositivi sono ideali per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza.
Ottimizzato per la massima disponibilità da parte dei partner di distribuzione
Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC
Contenitore per montaggio superficiale standard industriale
Silicio ottimizzato per applicazioni di commutazione al di sotto di 100 kHz
