MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 1.4 mΩ Miglioramento, 366 A, 8 Pin, HSOG, Superficie IPTG014N10NM5ATMA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 2 unità*

9,82 €

(IVA esclusa)

11,98 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 986 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
2 - 84,91 €9,82 €
10 - 184,32 €8,64 €
20 - 484,02 €8,04 €
50 - 983,73 €7,46 €
100 +3,485 €6,97 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
233-4387
Codice costruttore:
IPTG014N10NM5ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

366A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

IPTG

Tipo di package

HSOG

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

169nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

8.75 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.4mm

Lunghezza

10.1mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon OptiMOS IPTG014N10NM5 viene fornito in un contenitore migliorato con cavi ad ali di gabbiano. Con un ingombro compatibile per l'uso senza piombo, TOLG consente eccellenti prestazioni elettriche rispetto a D2PAK a 7 pin con una riduzione dello spazio su scheda di ∼60%. Questo nuovo contenitore in OptiMOS 5 - 100 V offre RDS(ON) molto bassa ed è ottimizzato per gestire correnti elevate 300 A. La flessibilità dei cavi ad ali di gabbiano, OptiMOS in contenitore TOLG mostra un'eccellente affidabilità del giunto a saldare sulla scheda al-IMS.

Elevata efficienza e EMI ridotte

Capacità ad alte prestazioni

Link consigliati