MOSFET Infineon, canale Tipo N 250 V, 21 mΩ Miglioramento, 77 A, 8 Pin, HSOG, Superficie IPTG210N25NM3FDATMA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 2 unità*

15,33 €

(IVA esclusa)

18,702 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 1800 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
2 - 87,665 €15,33 €
10 - 186,895 €13,79 €
20 - 486,435 €12,87 €
50 - 986,045 €12,09 €
100 +5,595 €11,19 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
233-4391
Codice costruttore:
IPTG210N25NM3FDATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

77A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

250V

Serie

IPTG

Tipo di package

HSOG

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

21mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

65nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.4mm

Larghezza

8.75 mm

Lunghezza

10.1mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon OptiMOS IPTG210N25NM3FD viene fornito in un contenitore migliorato con cavi ad ali di gabbiano. Con un ingombro compatibile per l'uso senza piombo, TOLG consente eccellenti prestazioni elettriche rispetto a D2PAK a 7 pin con una riduzione dello spazio su scheda di ∼60%. Questo nuovo contenitore in OptiMOS 3 - 250 V offre una RDS(ON) molto bassa ed è ottimizzato per gestire una corrente elevata di 300 A. La flessibilità dei cavi ad ali di gabbiano, OptiMOS in contenitore TOLG mostra un'eccellente affidabilità del giunto a saldare sulla scheda al-IMS.

Elevata efficienza e EMI ridotte

Capacità ad alte prestazioni

Link consigliati