MOSFET Infineon, canale N, 114 A, SuperSO8 5 x 6, Montaggio superficiale

I MOSFET a canale N™ Infineon OptiMOS in contenitore SuperSO8 estendono la gamma di prodotti OptiMOS™ 3 e 5 e consentono una maggiore densità di potenza oltre a una maggiore robustezza, rispondendo alla necessità di ridurre i costi del sistema e aumentare le prestazioni. La bassa carica di recupero inverso (Qrr) migliora l'affidabilità del sistema fornendo una riduzione significativa del superamento della tensione, che riduce al minimo la necessità di circuiti di protezione, con conseguente riduzione dei costi e dello sforzo di progettazione. È dotato di corrente di drain continua massima 114A e tensione di sorgente di drain massima 150V. È ideale per la commutazione ad alta frequenza e la rettifica sincrona.

La RDS(on) più bassa consente la massima densità di potenza ed efficienza
Temperatura d'esercizio nominale più elevata fino a 175 °C per una maggiore affidabilità
Basso RthJC per un eccellente comportamento termico
Minore carica di recupero inverso (Qrr)
RDS(ON) resistenza molto bassa in stato attivo
Carica di recupero inverso molto bassa (Qrr)
Placcatura senza piombo
Conformità RoHS