MOSFET Infineon, canale Tipo N 150 V, 9.2 mΩ N, 114 A, 8 Pin, SuperSO8 5 x 6, Superficie BSC074N15NS5ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
234-6989
Codice costruttore:
BSC074N15NS5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

114A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Serie

BSC

Tipo di package

SuperSO8 5 x 6

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

9.2mΩ

Modalità canale

N

Dissipazione di potenza massima Pd

46W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5.35mm

Larghezza

6.1 mm

Altezza

1.2mm

Standard automobilistico

No

I MOSFET a canale N Infineon OptiMOSTM nel contenitore SuperSO8 estendono il portafoglio di prodotti OptiMOSTM 3 e 5 e consentono una maggiore densità di potenza oltre a una maggiore robustezza, rispondendo alla necessità di ridurre i costi del sistema e aumentare le prestazioni. La bassa carica di recupero inverso (Qrr) migliora l'affidabilità del sistema fornendo una significativa riduzione del sovraccarico di tensione, che riduce al minimo la necessità di circuiti snubber, con conseguente riduzione dei costi e dello sforzo di ingegneria. È dotato di corrente di scarico continua massima di 114 A e tensione di sorgente di scarico massima di 150 V. È ideale per la commutazione ad alta frequenza e la rettifica sincrona.

Il minimo RDS(on) consente la massima densità di potenza ed efficienza

Temperatura d'esercizio nominale superiore a 175 °C per una maggiore affidabilità

Bassa RthJC per un eccellente comportamento termico

Carica di recupero inverso inferiore (Qrr)

Resistenza on RDS(on) molto bassa

Carica di recupero inverso molto bassa (Qrr)

Placcatura del cavo senza piombo.

Conformità alla direttiva RoHS

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