MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 100 V, 4 mΩ Miglioramento, 180 A, 3 Pin, H2PAK-2, Superficie STH200N10WF7-2

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Codice RS:
234-8895
Codice costruttore:
STH200N10WF7-2
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

STH200

Tipo di package

H2PAK-2

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

340W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

93nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza a canale N STMicroelectronics utilizza la tecnologia STripFET F7 con una struttura Trench Gate potenziata che aumenta la capacità di resistere alla modalità lineare e fornisce un SOA più ampio combinato con una resistenza in stato attivo molto bassa. Il MOSFET risultante assicura il miglior compromesso tra modalità lineare e operazioni di commutazione.

Capacità SOA migliore della categoria.

Capacità di picco di corrente di scarica elevata.

Resistenza in stato attivoestremamente bassa

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