MOSFET Infineon, canale N 80 V, 1.3 mΩ, 333 A, 8 Pin, HSOF-8, Superficie IPT013N08NM5LFATMA1
- Codice RS:
- 236-1586
- Codice costruttore:
- IPT013N08NM5LFATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*
9608,00 €
(IVA esclusa)
11.722,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
- Spedizione a partire dal 18 gennaio 2027
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2000 + | 4,804 € | 9.608,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 236-1586
- Codice costruttore:
- IPT013N08NM5LFATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 333A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Serie | IPT | |
| Tipo di package | HSOF-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.3mΩ | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 278W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 158nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 10.58mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 10.1mm | |
| Altezza | 2.4mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 333A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Serie IPT | ||
Tipo di package HSOF-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.3mΩ | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 278W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 158nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 10.58mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 10.1mm | ||
Altezza 2.4mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie IPT, tensione massima della sorgente di drenaggio di 80 V, corrente di drenaggio continua massima di 333 A - IPT013N08NM5LFATMA1
Caratteristiche e vantaggi:
• Valore nominale da drenaggio a sorgente di 80 V per sistemi a media tensione
• Basso valore Rds(on) di 1.3 mΩ per ridurre le perdite di conduzione
• Dissipazione di potenza massima di 278 W per l'intervallo termico
• Carica gate tipica 158 nC per un comportamento di commutazione prevedibile
Applicazioni
• Ideale per azionamenti di motori e inverter di trazione
• Utilizzato con moduli di distribuzione dell'alimentazione nei server
• Può essere utilizzato per sistemi di gestione delle batterie ad alta potenza
Quale intervallo di tensione gate è consentito per l'azionamento di questo dispositivo?
Quale contenitore e stile di montaggio utilizza per l'assemblaggio?
Come si comporta il dispositivo in condizioni di bassa temperatura?
Quali sono le misurazioni dell'involucro fisico rilevanti per la pianificazione dell'ingombro dei circuiti stampati?
Questo dispositivo è specificato per soddisfare gli standard di livello automobilistico?
Link consigliati
- MOSFET Infineon 1.3 mΩ 8 Pin Superficie IPT013N08NM5LFATMA1
- MOSFET Infineon 1.05 mΩ 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 1.05 mΩ 8 Pin Superficie IPT010N08NM5ATMA1
- MOSFET Infineon 1.9 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 2.9 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 1.2 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 80 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 2.9 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
