MOSFET Infineon, canale N 80 V, 1.3 mΩ, 333 A, 8 Pin, HSOF-8, Superficie IPT013N08NM5LFATMA1

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Codice RS:
236-1586
Codice costruttore:
IPT013N08NM5LFATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

333A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

IPT

Tipo di package

HSOF-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.3mΩ

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Dissipazione di potenza massima Pd

278W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

158nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

10.58mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.1mm

Altezza

2.4mm

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie IPT, tensione massima della sorgente di drenaggio di 80 V, corrente di drenaggio continua massima di 333 A - IPT013N08NM5LFATMA1


Questo MOSFET è un transistor a canale N ad alta corrente progettato per la commutazione di potenza a montaggio superficiale in ambienti termici impegnativi. Funziona in un'ampia gamma di ambienti e fornisce una notevole capacità di corrente di drenaggio e tensione continua per applicazioni industriali e di conversione di potenza.

Caratteristiche e vantaggi:


• Corrente di drenaggio continua 333 A per la gestione di carichi pesanti
• Valore nominale da drenaggio a sorgente di 80 V per sistemi a media tensione
• Basso valore Rds(on) di 1.3 mΩ per ridurre le perdite di conduzione
• Dissipazione di potenza massima di 278 W per l'intervallo termico
• Carica gate tipica 158 nC per un comportamento di commutazione prevedibile

Applicazioni


• Adatto per convertitori CC-CC ad alta corrente
• Ideale per azionamenti di motori e inverter di trazione
• Utilizzato con moduli di distribuzione dell'alimentazione nei server
• Può essere utilizzato per sistemi di gestione delle batterie ad alta potenza

Quale intervallo di tensione gate è consentito per l'azionamento di questo dispositivo?


Il gate può essere azionato fino a 20 V rispetto alla sorgente senza superare il limite specificato.

Quale contenitore e stile di montaggio utilizza per l'assemblaggio?


Viene fornito in un contenitore HSOF-8 configurato per il montaggio superficiale su gruppi di circuiti stampati.

Come si comporta il dispositivo in condizioni di bassa temperatura?


È classificato per funzionare fino a -55 °C, consentendo l'uso in installazioni con climi freddi.

Quali sono le misurazioni dell'involucro fisico rilevanti per la pianificazione dell'ingombro dei circuiti stampati?


Il componente misura 10,1 mm per 10,58 mm con un'altezza di 2,4 mm.

Questo dispositivo è specificato per soddisfare gli standard di livello automobilistico?


Non è classificato come componente di livello automobilistico.

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