MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 1.3 mΩ, 333 A, 8 Pin, HSOF-8, Superficie IPT013N08NM5LFATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
236-1587
Codice costruttore:
IPT013N08NM5LFATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

333A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

IPT

Tipo di package

HSOF-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.3mΩ

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

158nC

Dissipazione di potenza massima Pd

278W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

10.58 mm

Lunghezza

10.1mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.4mm

Standard automobilistico

No

FET lineare 5 Infineon OptiMOS, MOSFET 80 V. Questo prodotto è completamente qualificato secondo JEDEC per applicazioni industriali .

Ideale per applicazioni hot-swap e e-fuse

RDS(ON) resistenza molto bassa in stato attivo

SOA per un'ampia area di funzionamento sicura

Canale N, livello normale

Testato con effetto valanga al 100%

Placcatura senza piombo, senza alogeni

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