MOSFET Infineon, canale N 80 V, 1.3 mΩ, 333 A, 8 Pin, HSOF-8, Superficie IPT013N08NM5LFATMA1
- Codice RS:
- 236-1587
- Codice costruttore:
- IPT013N08NM5LFATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 236-1587
- Codice costruttore:
- IPT013N08NM5LFATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 333A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Tipo di package | HSOF-8 | |
| Serie | IPT | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.3mΩ | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 278W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 158nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 2.4mm | |
| Lunghezza | 10.1mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 10.58mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 333A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Tipo di package HSOF-8 | ||
Serie IPT | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.3mΩ | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 278W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 158nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 2.4mm | ||
Lunghezza 10.1mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 10.58mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie IPT, tensione massima della sorgente di drenaggio di 80 V, corrente di drenaggio continua massima di 333 A - IPT013N08NM5LFATMA1
Questo MOSFET è un transistor a canale N ad alta corrente progettato per la commutazione di potenza a montaggio superficiale in ambienti termici impegnativi. Funziona in un'ampia gamma di ambienti e fornisce una notevole capacità di corrente di drenaggio e tensione continua per applicazioni industriali e di conversione di potenza.
Caratteristiche e vantaggi:
• Corrente di drenaggio continua 333 A per la gestione di carichi pesanti
• Valore nominale da drenaggio a sorgente di 80 V per sistemi a media tensione
• Basso valore Rds(on) di 1.3 mΩ per ridurre le perdite di conduzione
• Dissipazione di potenza massima di 278 W per l'intervallo termico
• Carica gate tipica 158 nC per un comportamento di commutazione prevedibile
• Valore nominale da drenaggio a sorgente di 80 V per sistemi a media tensione
• Basso valore Rds(on) di 1.3 mΩ per ridurre le perdite di conduzione
• Dissipazione di potenza massima di 278 W per l'intervallo termico
• Carica gate tipica 158 nC per un comportamento di commutazione prevedibile
Applicazioni
• Adatto per convertitori CC-CC ad alta corrente
• Ideale per azionamenti di motori e inverter di trazione
• Utilizzato con moduli di distribuzione dell'alimentazione nei server
• Può essere utilizzato per sistemi di gestione delle batterie ad alta potenza
• Ideale per azionamenti di motori e inverter di trazione
• Utilizzato con moduli di distribuzione dell'alimentazione nei server
• Può essere utilizzato per sistemi di gestione delle batterie ad alta potenza
Quale intervallo di tensione gate è consentito per l'azionamento di questo dispositivo?
Il gate può essere azionato fino a 20 V rispetto alla sorgente senza superare il limite specificato.
Quale contenitore e stile di montaggio utilizza per l'assemblaggio?
Viene fornito in un contenitore HSOF-8 configurato per il montaggio superficiale su gruppi di circuiti stampati.
Come si comporta il dispositivo in condizioni di bassa temperatura?
È classificato per funzionare fino a -55 °C, consentendo l'uso in installazioni con climi freddi.
Quali sono le misurazioni dell'involucro fisico rilevanti per la pianificazione dell'ingombro dei circuiti stampati?
Il componente misura 10,1 mm per 10,58 mm con un'altezza di 2,4 mm.
Questo dispositivo è specificato per soddisfare gli standard di livello automobilistico?
Non è classificato come componente di livello automobilistico.
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