MOSFET Infineon, canale N 600 V, 700 Ω Depletion, 21 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie BSS126IXTSA1
- Codice RS:
- 236-4397
- Codice costruttore:
- BSS126IXTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
168,00 €
(IVA esclusa)
204,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
- 3000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,056 € | 168,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 236-4397
- Codice costruttore:
- BSS126IXTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 21mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Serie | SIPMOS® | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 700Ω | |
| Modalità canale | Depletion | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 1.4nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 0.5W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 3mm | |
| Larghezza | 1.4mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 21mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Serie SIPMOS® | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 700Ω | ||
Modalità canale Depletion | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 1.4nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 0.5W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 3mm | ||
Larghezza 1.4mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1.1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie SIPMOS®, tensione massima della sorgente di drenaggio di 600 V, dissipazione di potenza massima di 0,5 W - BSS126IXTSA1
Caratteristiche e vantaggi:
• La corrente di drenaggio continua massima di 21 mA supporta circuiti a bassa potenza
• La resistenza massima drain-source di 700 Ω limita la conduzione in stato attivo
• La tensione diretta di 1,2 V riduce la caduta di tensione nei percorsi azionati
• La carica gate tipica di 1,4 nC consente una modesta energia gate drive
• La dissipazione di potenza massima di 0,5 W si adatta a budget termici a bassa potenza
Applicazioni
• Ideale per circuiti di protezione a bassa corrente e resistenze di scarico
• Utilizzato con driver a piccolo segnale che richiedono un comportamento in modalità di esaurimento
• Può essere utilizzato per lo sterzo di corrente nei front-end del sensore
• Adatto per sottocircuiti compatti di gestione dell'alimentazione nei convertitori
Quale intervallo di tensione di gate può essere applicato in modo sicuro?
Quale gamma termica tollera il dispositivo durante l'uso?
Come è confezionato il componente per l'assemblaggio su circuito stampato?
Quale copertura meccanica deve essere consentita sull'ingombro del circuito stampato?
Il dispositivo soddisfa la classificazione di livello automobilistico?
Link consigliati
- MOSFET Infineon 700 Ω Depletion 3 Pin Superficie BSS126IXTSA1
- MOSFET Infineon 700 Ω Depletion 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 700 Ω Depletion 3 Pin Superficie BSS126H6327XTSA2
- MOSFET Infineon 3.5 mΩ Depletion 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 6 Ω Depletion 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 12.5 Ω Depletion 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 3.5 mΩ Depletion 3 Pin Superficie BSS139H6327XTSA1
- MOSFET Infineon 12.5 Ω Depletion 3 Pin Superficie BSS139IXTSA1
