MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 700 Ω Depletion, 21 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie BSS126IXTSA1

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Codice RS:
236-4397
Codice costruttore:
BSS126IXTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

21mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

SIPMOS®

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

700Ω

Modalità canale

Depletion

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1.4nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

0.5W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.1mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3mm

Larghezza

1.4 mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET con modalità di esaurimento del segnale ridotta a canale N Infineon da 600 V è placcato senza piombo, conforme a RoHS e senza alogeni in conformità a IEC61249-2-21. Completamente qualificato in conformità a JEDEC per le applicazioni industriali. È dotato di un livello di qualifica standard industriale.

Elevata affidabilità del sistema

Ecocompatibile

Con spazio su circuito stampato e risparmio sui costi

dv/dt nominale

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