MOSFET Vishay, canale Tipo N 171 V, 0.0035 Ω, 171 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie SiRS700DP-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
239-5396
Codice costruttore:
SiRS700DP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

171A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

171V

Serie

SiR

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0035Ω

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

86nC

Dissipazione di potenza massima Pd

132W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

6mm

Larghezza

5 mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza a canale N TrenchFET Vishay ha una corrente di drenaggio di 171 A. Viene utilizzato in rettifica sincrona, interruttore lato primario, convertitore c.c./c.c. e interruttore di azionamento motore.

Figure-of-merit RDS x Qg (FOM) molto bassa

Sintonizzato per il più basso RDS x Qoss FOM

Testato al 100% Rg e UIS

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