MOSFET Vishay, canale Tipo N 80 V, 0.005 Ω, 210 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8L, Superficie SQJ182EP-T1_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
239-5409
Codice costruttore:
SQJ182EP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

210A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

PowerPAK SO-8L

Serie

SQJ

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.005Ω

Dissipazione di potenza massima Pd

395W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

64nC

Tensione diretta Vf

1.1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

AEC-Q101, RoHS

Larghezza

4.9 mm

Lunghezza

6.15mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET a canale N Vishay ha una corrente di drain di 210 A.

Certificazione AEC-Q101

Testato al 100% Rg e UIS

Rapporto Qgd/Qgs<1 ottimizza le caratteristiche di commutazione

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