MOSFET Infineon, canale N, 11 A, TO-252, Montaggio superficiale

I MOSFET di potenza CoolMOS C7 Infineon rappresentano un passo avanti rivoluzionario nella tecnologia, fornendo bassa RDS(on)/contenitore e, grazie alle sue basse perdite di commutazione, miglioramenti di efficienza sull'intera gamma di carico. Offrono il RDS(on) più basso al mondo di 19 mΩ in un TO-247 e 45 mΩ in contenitori TO-220 e D2PAK. Le prestazioni di commutazione rapide del C7 consentono ai clienti di operare a frequenze di commutazione superiori a 100 kHz, raggiungendo livelli di efficienza al titanio nelle fasi PFC del server.

Tensione 650 V
Rivoluzionario RDS(on)/contenitore, migliore della categoria
Riduzione dell'energia immagazzinata nella capacità di uscita (Eoss)
Riduzione della carica del gate Qg
Risparmio di spazio grazie all'uso di contenitori più piccoli o alla riduzione delle parti
Migliorato margine di sicurezza e adatto per applicazioni inverter solari e SMPS
Ridotte perdite di conduzione/contenitore
Basse perdite di commutazione
Migliore efficienza del carico leggero
Aumento della densità di potenza