MOSFET Infineon, canale N 40 V, 1.2 mΩ N, 180 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

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Codice RS:
244-0943
Codice costruttore:
IPD65R225C7ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TO-252

Serie

IPD

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.2mΩ

Modalità canale

N

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

900mV

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

+150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET Infineon serie IPD, tensione massima della sorgente di drenaggio di 40 V, corrente di drenaggio continua massima di 180 A - IPD65R225C7ATMA1


Questo MOSFET è un transistor a canale N ad alta corrente progettato per la commutazione di potenza a montaggio superficiale in ambienti difficili. Offre una robusta gestione drain-to-source per applicazioni a media tensione e funziona in un ampio intervallo di temperature, il che lo rende adatto per contesti industriali e automobilistici in cui è richiesta una commutazione compatta ad alta potenza.

Caratteristiche e vantaggi:


• Tensione massima da drain a sorgente di 40 V che supporta circuiti a media tensione
• Corrente di drenaggio continua di 180 A che consente la commutazione ad alta corrente
• Basso valore Rds(on) di 1,2 mΩ che riduce al minimo le perdite di conduzione
• Dissipazione di potenza massima di 81 W che consente una gestione sostenuta del carico
• Carica gate tipica di 80 nC che fornisce energia di commutazione prevedibile
• tensione diretta di 0,9 V che riduce la caduta di tensione sotto carico

Applicazioni


• Adatto per moduli di distribuzione dell'alimentazione automobilistica
• Ideale per le fasi di azionamento dei motori CC ad alta corrente
• Utilizzato con i sistemi di gestione della batteria nei veicoli elettrici
• Può essere utilizzato per convertitori di potenza industriali
• Adatto per gruppi di alimentazione compatti a montaggio superficiale

Quale ampiezza di gate drive può essere applicata in modo sicuro?


Il gate può essere azionato fino a 20 V rispetto alla sorgente entro i limiti specificati.

Quale intervallo termico può tollerare il dispositivo durante il funzionamento?


Funziona a temperature comprese tra -55 °C e +150 °C per un uso prolungato.

Quale tipo di montaggio è disponibile per l'assemblaggio della scheda?


È fornito in un contenitore TO-252 progettato per il montaggio superficiale.

Soddisfa gli standard di qualificazione del settore automobilistico?


È conforme ai requisiti AEC-Q101 per la classificazione dei componenti automobilistici.

Esistono restrizioni ambientali sulla sua produzione?


Il dispositivo è conforme alle direttive RoHS che limitano le sostanze pericolose.

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