MOSFET Infineon, canale N 40 V, 1.2 mΩ N, 180 A, 3 Pin, TO-252, Superficie
- Codice RS:
- 244-0943
- Codice costruttore:
- IPD65R225C7ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*
2285,00 €
(IVA esclusa)
2787,50 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
- Spedizione a partire dal 11 gennaio 2027
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,914 € | 2.285,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 244-0943
- Codice costruttore:
- IPD65R225C7ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 180A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.2mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 81W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 900mV | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | +150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 180A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.2mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 81W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 900mV | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento +150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET Infineon serie IPD, tensione massima della sorgente di drenaggio di 40 V, corrente di drenaggio continua massima di 180 A - IPD65R225C7ATMA1
Caratteristiche e vantaggi:
• Corrente di drenaggio continua di 180 A che consente la commutazione ad alta corrente
• Basso valore Rds(on) di 1,2 mΩ che riduce al minimo le perdite di conduzione
• Dissipazione di potenza massima di 81 W che consente una gestione sostenuta del carico
• Carica gate tipica di 80 nC che fornisce energia di commutazione prevedibile
• tensione diretta di 0,9 V che riduce la caduta di tensione sotto carico
Applicazioni
• Ideale per le fasi di azionamento dei motori CC ad alta corrente
• Utilizzato con i sistemi di gestione della batteria nei veicoli elettrici
• Può essere utilizzato per convertitori di potenza industriali
• Adatto per gruppi di alimentazione compatti a montaggio superficiale
Quale ampiezza di gate drive può essere applicata in modo sicuro?
Quale intervallo termico può tollerare il dispositivo durante il funzionamento?
Quale tipo di montaggio è disponibile per l'assemblaggio della scheda?
Soddisfa gli standard di qualificazione del settore automobilistico?
Esistono restrizioni ambientali sulla sua produzione?
Link consigliati
- MOSFET Infineon 1.2 mΩ N 3 Pin Superficie IPD65R225C7ATMA1
- MOSFET Infineon 1.2 mΩ N 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 1.2 mΩ N 3 Pin Superficie IPD80R280P7ATMA1
- MOSFET Infineon 3 mΩ N 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 0.7 mΩ N 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 1.4 mΩ N 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 0.7 mΩ N 3 Pin Superficie IPD50N10S3L16ATMA1
- MOSFET Infineon 3 mΩ N 3 Pin Superficie IPD65R660CFDAATMA1
