MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 1.2 mΩ N, 180 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD65R225C7ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
244-0944
Codice costruttore:
IPD65R225C7ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TO-252

Serie

IPD

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.2mΩ

Modalità canale

N

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

I MOSFET di potenza CoolMOS C7 Infineon rappresentano un passo avanti rivoluzionario nella tecnologia, fornendo bassa RDS(on)/contenitore e, grazie alle sue basse perdite di commutazione, miglioramenti di efficienza sull'intera gamma di carico. Offrono il RDS(on) più basso al mondo di 19 mΩ in un TO-247 e 45 mΩ in contenitori TO-220 e D2PAK. Le prestazioni di commutazione rapide del C7 consentono ai clienti di operare a frequenze di commutazione superiori a 100 kHz, raggiungendo livelli di efficienza al titanio nelle fasi PFC del server.

Tensione 650 V

Rivoluzionario RDS(on)/contenitore, migliore della categoria

Riduzione dell'energia immagazzinata nella capacità di uscita (Eoss)

Riduzione della carica del gate Qg

Risparmio di spazio grazie all'uso di contenitori più piccoli o alla riduzione delle parti

Migliorato margine di sicurezza e adatto per applicazioni inverter solari e SMPS

Ridotte perdite di conduzione/contenitore

Basse perdite di commutazione

Migliore efficienza del carico leggero

Aumento della densità di potenza

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