MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 1.2 mΩ N, 180 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD65R225C7ATMA1
- Codice RS:
- 244-0944
- Codice costruttore:
- IPD65R225C7ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 244-0944
- Codice costruttore:
- IPD65R225C7ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 180A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.2mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 81W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 180A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.2mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 81W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
I MOSFET di potenza CoolMOS C7 Infineon rappresentano un passo avanti rivoluzionario nella tecnologia, fornendo bassa RDS(on)/contenitore e, grazie alle sue basse perdite di commutazione, miglioramenti di efficienza sull'intera gamma di carico. Offrono il RDS(on) più basso al mondo di 19 mΩ in un TO-247 e 45 mΩ in contenitori TO-220 e D2PAK. Le prestazioni di commutazione rapide del C7 consentono ai clienti di operare a frequenze di commutazione superiori a 100 kHz, raggiungendo livelli di efficienza al titanio nelle fasi PFC del server.
Tensione 650 V
Rivoluzionario RDS(on)/contenitore, migliore della categoria
Riduzione dell'energia immagazzinata nella capacità di uscita (Eoss)
Riduzione della carica del gate Qg
Risparmio di spazio grazie all'uso di contenitori più piccoli o alla riduzione delle parti
Migliorato margine di sicurezza e adatto per applicazioni inverter solari e SMPS
Ridotte perdite di conduzione/contenitore
Basse perdite di commutazione
Migliore efficienza del carico leggero
Aumento della densità di potenza
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