MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 1.2 mΩ N, 180 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD80R280P7ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
244-0946
Codice costruttore:
IPD80R280P7ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

IPD

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.2mΩ

Modalità canale

N

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

La serie MOSFET a super giunzione da 800 V CoolMO P7 Infineon è perfetta per le applicazioni SMPS a bassa potenza e risponde perfettamente alle esigenze del mercato in termini di prestazioni, facilità d'uso e rapporto prezzo/prestazioni. Si concentra principalmente su applicazioni flyback tra cui adattatore e caricabatterie, driver LED, SMPS audio, AUX e alimentazione industriale. Nel complesso, aiuta i clienti a risparmiare i costi del BOM e a ridurre gli sforzi di assemblaggio.

Migliore DPAK RDS(on) di 280 mΩ

Migliore classe V (GS) di 3 V e più piccola variazione V (GS) di ± 0,5 V

Protezione ESD con diodo Zener integrato fino a classe 2 (HBM)

Migliore qualità e affidabilità di classe

Portafoglio completamente ottimizzato

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