2 MOSFET e diodo Infineon Doppio canale N, canale Tipo N, 40 A 30 V, SuperSO8 5 x 6, 8 Pin
- Codice RS:
- 244-1558
- Codice costruttore:
- BSC0924NDIATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*
1935,00 €
(IVA esclusa)
2360,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 27 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,387 € | 1.935,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 244-1558
- Codice costruttore:
- BSC0924NDIATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET e diodo | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 40A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Serie | OptiMOSTM | |
| Tipo di package | SuperSO8 5 x 6 | |
| Numero pin | 8 | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.5W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±20 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 6.7nC | |
| Configurazione transistor | Doppio canale N | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | JEDEC1, IEC61249-2-22 | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET e diodo | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 40A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Serie OptiMOSTM | ||
Tipo di package SuperSO8 5 x 6 | ||
Numero pin 8 | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.5W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±20 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 6.7nC | ||
Configurazione transistor Doppio canale N | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni JEDEC1, IEC61249-2-22 | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
Infineon è dotato di MOSFET che è un MOSFET di potenza OptiMOS, diodo Schottky monolitico integrato e ottimizzato per convertitore buck ad alte prestazioni.
Canale N
100% testato a valanga
Certificazione AEC Q101
MSL1 fino a 260°C di picco di rifusione
175°C di temperatura di esercizio
Prodotto ecologico (conforme a RoHS)
Link consigliati
- 2 MOSFET e diodo Infineon Doppio canale N 40 A 30 V 8 Pin BSC0924NDIATMA1
- 2 MOSFET Infineon Livello normale a doppio canale N 20 A 60 V 8 Pin
- MOSFET e diodo Infineon 0.7 mΩ N 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon Modalità di potenziamento del livello normale a doppio canale N 16 A 100 V, SuperSO8 5 x
- MOSFET e diodo Infineon 0.7 mΩ N 8 Pin Superficie BSZ0503NSIATMA1
- 2 MOSFET Infineon Modalità di potenziamento del livello logico a doppio canale N 20 A 60 V, SuperSO8 5 x
- MOSFET Infineon 1.4 mΩ N 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 1.4 mΩ N 8 Pin Superficie IPZ40N04S5L2R8ATMA1
