MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 40 V, 0.7 mΩ N, 212 A, 8 Pin, SuperSO8 5 x 6, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

1515,00 €

(IVA esclusa)

1850,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 19 aprile 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
5000 +0,303 €1.515,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
244-1565
Codice costruttore:
BSZ0503NSIATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

212A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

SuperSO8 5 x 6

Serie

BSZ

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.7mΩ

Modalità canale

N

Tensione diretta Vf

1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Infineon è dotato di MOSFET che è un MOSFET di potenza OptiMOS, diodo Schottky monolitico integrato e ottimizzato per convertitore buck ad alte prestazioni.

Canale

NResistenza termica superiore

Placcatura del cavo senza piombo;Conformità RoHS senza

alogeni a norma IEC61249-2-21

Link consigliati