MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 40 V, 0.7 mΩ N, 212 A, 8 Pin, SuperSO8 5 x 6, Superficie BSZ0503NSIATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
244-1566
Codice costruttore:
BSZ0503NSIATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

212A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

BSZ

Tipo di package

SuperSO8 5 x 6

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.7mΩ

Modalità canale

N

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Infineon è dotato di MOSFET che è un MOSFET di potenza OptiMOS, diodo Schottky monolitico integrato e ottimizzato per convertitore buck ad alte prestazioni.

Canale

NResistenza termica superiore

Placcatura del cavo senza piombo;Conformità RoHS senza

alogeni a norma IEC61249-2-21

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