MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 30 A, H2PAK-7, Superficie, 7 Pin SCT040H65G3AG

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Codice RS:
249-6653
Codice costruttore:
SCT040H65G3AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

H2PAK-7

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Il dispositivo MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando la tecnologia MOSFET SiC avanzata e innovativa di 3a generazione di ST. Il dispositivo è caratterizzato da un RDS(on) molto basso sull'intera gamma di temperature combinato con basse capacità e operazioni di commutazione molto elevate, che migliorano le prestazioni dell'applicazione in termini di frequenza, efficienza energetica, dimensioni del sistema e riduzione del peso.

Certificazione AEC-Q101

RDS(on) molto basso per l'intero intervallo di temperatura

Elevate prestazioni di commutazione

Diodo intrinseco molto veloce e robusto

Perno di rilevamento sorgente per una maggiore efficienza

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