2 MOSFET Vishay Canale doppio N simmetrico, canale Tipo N, 0.00137 Ω, 159 A 40 V, PowerPAIR 6 x 5FS, Superficie, 8 Pin

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Codice RS:
252-0296
Codice costruttore:
SIZF640DT-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

159A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PowerPAIR 6 x 5FS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00137Ω

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

62.5W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

30nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Canale doppio N simmetrico

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

La linea di prodotti MOSFET Vishay Siliconix include una vasta gamma di tecnologie avanzate. I MOSFET sono dispositivi a transistor controllati da un condensatore. Effetto di campo significa che sono controllati dalla tensione. I MOSFET a canale N contengono ulteriori elettroni liberi di muoversi. Si tratta di un tipo di canale più popolare. I MOSFET a canale N funzionano quando una carica positiva viene applicata al terminale di gate.

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