Codice costruttore

2 MOSFET Vishay Canale doppio N simmetrico, canale N, 0.00137 Ω, 159 A 40 V, PowerPAIR 6 x 5FS, Superficie, 8 Pin

Codice RS:: 252-0296
Codice costruttore:: SIZF640DT-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

2 MOSFET Vishay Canale doppio N simmetrico, canale N, 0.00137 Ω, 159 A 40 V, PowerPAIR 6 x 5FS, Superficie, 8 Pin

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

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Codice RS:: 252-0296
Codice costruttore:: SIZF640DT-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	159A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	40V
	Tipo di package	PowerPAIR 6 x 5FS
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.00137Ω
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	30nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	62.5W
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Configurazione transistor	Canale doppio N simmetrico
	Standard/Approvazioni	No
	Numero elementi per chip	2
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Vishay
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 159A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V
	Tipo di package PowerPAIR 6 x 5FS
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.00137Ω
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 30nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 62.5W
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Configurazione transistor Canale doppio N simmetrico
	Standard/Approvazioni No
	Numero elementi per chip 2
	Standard automobilistico No

Datasheet - SIZF640DT-T1-GE3

La linea di prodotti MOSFET Vishay Siliconix include una vasta gamma di tecnologie avanzate. I MOSFET sono dispositivi a transistor controllati da un condensatore. Effetto di campo significa che sono controllati dalla tensione. I MOSFET a canale N contengono ulteriori elettroni liberi di muoversi. Si tratta di un tipo di canale più popolare. I MOSFET a canale N funzionano quando una carica positiva viene applicata al terminale di gate.

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV

Testato al 100% Rg e UIS

Doppio canale N simmetrico

Tecnologia flip chip per un design termico ottimale

Forma ottimizzata dei MOSFET high side e low side

Combinazione per un ciclo di lavoro del 50%

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