MOSFET Vishay, canale N 40 V, 0.0149 Ω, 120 A, TO-263, Superficie SQM120N04-1M7L_GE3
- Codice RS:
- 256-7445
- Codice costruttore:
- SQM120N04-1M7L_GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 256-7445
- Codice costruttore:
- SQM120N04-1M7L_GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 120A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.0149Ω | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 120A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0149Ω | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il mosfet a canale N per uso automobilistico Vishay Semiconductor 40 V (D-S) 175 °C 120 A (Tc) 375 W (Tc) è dotato di montaggio superficiale con contenitore tipo TO-263.
MOSFET di potenza TrenchFET
Contenitore con bassa resistenza termica
Testato al 100% Rg e UIS
Qualificazione AEC-Q101
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