MOSFET Infineon, canale Tipo N 120 V, 14.2 mΩ N, 68 A, 8 Pin, TDSON, Superficie BSC120N12LSGATMA1

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 confezione da 2 unità*

3,34 €

(IVA esclusa)

4,08 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 4974 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per confezione*
2 +1,67 €3,34 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
258-0697
Codice costruttore:
BSC120N12LSGATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

68A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

120V

Serie

BSC

Tipo di package

TDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

14.2mΩ

Modalità canale

N

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

51nC

Dissipazione di potenza massima Pd

114W

Tensione diretta Vf

0.87V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21, RoHS

Lunghezza

5.49mm

Altezza

1.1mm

Larghezza

6.35 mm

Standard automobilistico

No

I MOSFET di potenza Infineon OptiMOS 3 a livello logico sono estremamente adatti per applicazioni di ricarica, adattatore e telecomunicazioni. La bassa carica del gate dei dispositivi riduce le perdite di commutazione senza compromettere le perdite di conduzione. I MOSFET a livello logico consentono il funzionamento ad alte frequenze di commutazione e, grazie a una bassa tensione di soglia di gate, possono essere azionati direttamente dai microcontrollori.

Bassa carica del gate

Carica di uscita inferiore

Compatibilità a livello logico

Strutture con densità di potenza più elevata

Maggiore frequenza di commutazione

Link consigliati