MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 3.4 mΩ, 120 A, 3 Pin, TDSON, Foro passante
- Codice RS:
- 258-3890
- Codice costruttore:
- IPP034N08N5AKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 258-3890
- Codice costruttore:
- IPP034N08N5AKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 120A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Serie | IPP | |
| Tipo di package | TDSON | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3.4mΩ | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 69nC | |
| Tensione diretta Vf | 0.97V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 167W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 120A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Serie IPP | ||
Tipo di package TDSON | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3.4mΩ | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 69nC | ||
Tensione diretta Vf 0.97V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 167W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza Infineon OptiMOS 5 da 80 V, appositamente progettato per la rettifica sincrona per alimentatori di telecomunicazioni e server. Inoltre, il dispositivo può essere utilizzato anche in altre applicazioni industriali, come ad esempio azionamenti solari, a bassa tensione e adattatori. All'interno di sette contenitori diversi, i MOSFET da 80 V OptiMOS 5 offrono l'RDS(on) più basso del settore. Inoltre, rispetto alla generazione precedente, OptiMOS 5 80 V ha una riduzione RDS(on) fino al 43%.
Ideale per l'alta frequenza di commutazione
Riduzione della capacità di uscita fino al 44%
Massima efficienza del sistema
Perdite di commutazione e di conduzione ridotte
Meno parallelo richiesto
Maggiore densità di potenza
Sovracorrente a bassa tensione
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