MOSFET Infineon, canale N 80 V, 3.4 mΩ, 120 A, 3 Pin, TDSON, Foro passante

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Codice RS:
258-3890
Codice costruttore:
IPP034N08N5AKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

120A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

IPP

Tipo di package

TDSON

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.4mΩ

Dissipazione di potenza massima Pd

167W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

69nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

970mV

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21, RoHS

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza Infineon OptiMOS 5 da 80 V, appositamente progettato per la rettifica sincrona per alimentatori di telecomunicazioni e server. Inoltre, il dispositivo può essere utilizzato anche in altre applicazioni industriali, come ad esempio azionamenti solari, a bassa tensione e adattatori. All'interno di sette contenitori diversi, i MOSFET da 80 V OptiMOS 5 offrono l'RDS(on) più basso del settore. Inoltre, rispetto alla generazione precedente, OptiMOS 5 80 V ha una riduzione RDS(on) fino al 43%.

Ideale per l'alta frequenza di commutazione

Riduzione della capacità di uscita fino al 44%

Massima efficienza del sistema

Perdite di commutazione e di conduzione ridotte

Meno parallelo richiesto

Maggiore densità di potenza

Sovracorrente a bassa tensione

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