MOSFET Infineon, canale N 80 V, 3.4 mΩ, 120 A, 3 Pin, TDSON, Foro passante IPP034N08N5AKSA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 2 unità*

8,24 €

(IVA esclusa)

10,06 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 12 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
  • Più 500 unità in spedizione dal 21 gennaio 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
2 - 184,12 €8,24 €
20 - 483,625 €7,25 €
50 - 983,38 €6,76 €
100 - 1983,17 €6,34 €
200 +2,925 €5,85 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
258-3891
Codice costruttore:
IPP034N08N5AKSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

120A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

TDSON

Serie

IPP

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.4mΩ

Dissipazione di potenza massima Pd

167W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

69nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

970mV

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21, RoHS

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza Infineon OptiMOS 5 da 80 V, appositamente progettato per la rettifica sincrona per alimentatori di telecomunicazioni e server. Inoltre, il dispositivo può essere utilizzato anche in altre applicazioni industriali, come ad esempio azionamenti solari, a bassa tensione e adattatori. All'interno di sette contenitori diversi, i MOSFET da 80 V OptiMOS 5 offrono l'RDS(on) più basso del settore. Inoltre, rispetto alla generazione precedente, OptiMOS 5 80 V ha una riduzione RDS(on) fino al 43%.

Ideale per l'alta frequenza di commutazione

Riduzione della capacità di uscita fino al 44%

Massima efficienza del sistema

Perdite di commutazione e di conduzione ridotte

Meno parallelo richiesto

Maggiore densità di potenza

Sovracorrente a bassa tensione

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.