MOSFET Infineon, 8,7 A, TO-220, Montaggio superficiale

Il half-bridge MOSFET audio digitale Infineon è progettato specificatamente per le applicazioni di amplificatori audio di classe D. È costituito da due interruttori MOSFET di potenza collegati in una configurazione half-bridge. L'ultimo processo viene utilizzato per ottenere una bassa resistenza in stato attivo per area di silicio. Inoltre, la carica del gate, il recupero inverso del diodo corpo e la resistenza interna del gate sono ottimizzati per migliorare i principali fattori di prestazione dell'amplificatore audio di classe D come l'efficienza, THD e EMI. Questi si combinano per rendere questo half-bridge un dispositivo estremamente efficiente, robusto e affidabile per le applicazioni di amplificatori audio di classe D.

Basso RDS(on)
MOSFET a canale N doppio
Contenitore half-bridge integrato
Basso Qrr
Ecocompatibile
Elevata densità di potenza
Design integrato
Risparmio sulla scheda
Bassa EMI