MOSFET Infineon 150 V, 80 mΩ, 8.7 A, 5 Pin, TO-220, Superficie IRFI4019H-117PXKMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
258-3974
Codice costruttore:
IRFI4019H-117PXKMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

8.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

80mΩ

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il half-bridge MOSFET audio digitale Infineon è progettato specificatamente per le applicazioni di amplificatori audio di classe D. È costituito da due interruttori MOSFET di potenza collegati in una configurazione half-bridge. L'ultimo processo viene utilizzato per ottenere una bassa resistenza in stato attivo per area di silicio. Inoltre, la carica del gate, il recupero inverso del diodo corpo e la resistenza interna del gate sono ottimizzati per migliorare i principali fattori di prestazione dell'amplificatore audio di classe D come l'efficienza, THD e EMI. Questi si combinano per rendere questo half-bridge un dispositivo estremamente efficiente, robusto e affidabile per le applicazioni di amplificatori audio di classe D.

Basso RDS(on)

MOSFET a canale N doppio

Contenitore half-bridge integrato

Basso Qrr

Ecocompatibile

Elevata densità di potenza

Design integrato

Risparmio sulla scheda

Bassa EMI

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