MOSFET Infineon, canale N 30 V, 4.8 mΩ Miglioramento, 18 A, 8 Pin, SO-8, Superficie IRF8736TRPBF
- Codice RS:
- 258-8204
- Codice costruttore:
- IRF8736TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 confezione da 10 unità*
11,82 €
(IVA esclusa)
14,42 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 3910 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,182 € | 11,82 € |
| 50 - 90 | 1,156 € | 11,56 € |
| 100 - 490 | 0,909 € | 9,09 € |
| 500 - 1990 | 0,719 € | 7,19 € |
| 2000 + | 0,523 € | 5,23 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 258-8204
- Codice costruttore:
- IRF8736TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 18A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | SO-8 | |
| Serie | IRF8736 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4.8mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.5W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 17nC | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 18A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package SO-8 | ||
Serie IRF8736 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.8mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.5W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 17nC | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie IRF8736, tensione massima drain-source 30 V, corrente di drenaggio continua massima 18 A - IRF8736TRPBF
Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N progettato per la commutazione a bassa tensione e la gestione dell'alimentazione in gruppi compatti a montaggio superficiale. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è fornito in un contenitore SO-8 per il montaggio su circuito stampato. Il componente è conforme alle direttive RoHS ed è progettato per applicazioni che richiedono una conduzione efficiente e un'energia di azionamento del gate controllata.
Caratteristiche e vantaggi:
• Rds(on) di 4,8 mΩ per ridurre le perdite di conduzione e migliorare l'efficienza
• Carica gate tipica di 17 nC per una velocità di commutazione prevedibile
• Valore nominale di 30 V Vds per applicazioni di commutazione di potenza a bassa tensione
• Capacità di scarico continuo di 18 A per carichi di corrente moderati
• Dissipazione di potenza di 2,5 W per progetti compatti a budget termico
• Carica gate tipica di 17 nC per una velocità di commutazione prevedibile
• Valore nominale di 30 V Vds per applicazioni di commutazione di potenza a bassa tensione
• Capacità di scarico continuo di 18 A per carichi di corrente moderati
• Dissipazione di potenza di 2,5 W per progetti compatti a budget termico
Applicazioni
• Utilizzato per la commutazione dell'alimentazione CC nei moduli di controllo
• Adatto per fasi motore-azionamento con corrente moderata
• Ideale per convertitori di potenza ad alta efficienza in spazi ristretti
• Può essere utilizzato per la commutazione del carico su gruppi compatti
• Utilizzato con driver gate che richiedono una tensione gate fino a 20 V
• Adatto per fasi motore-azionamento con corrente moderata
• Ideale per convertitori di potenza ad alta efficienza in spazi ristretti
• Può essere utilizzato per la commutazione del carico su gruppi compatti
• Utilizzato con driver gate che richiedono una tensione gate fino a 20 V
Quali sono i limiti di tensione di gate da rispettare?
Il dispositivo non deve essere azionato oltre un differenziale da gate a sorgente di 20 V per evitare sovratensioni di gate.
Quali temperature d'esercizio può tollerare?
È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C in ambienti termici ampi.
Come deve essere presa in considerazione la sua dissipazione termica su una scheda?
Con una dissipazione massima di 2,5 W, il layout deve includere un'area in rame o vie termiche per gestire la temperatura di giunzione.
Questo componente è adatto per progetti classificati per il settore automobilistico?
Non è classificato come dispositivo standard automobilistico ma è conforme ai requisiti RoHS.
Che tipo di contenitore e tipo di montaggio utilizza?
Il transistor è fornito in un contenitore SO-8 destinato al montaggio superficiale su gruppi di circuiti stampati.
Link consigliati
- MOSFET Infineon 4.8 mΩ 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 4.8 mΩ 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 4.8 mΩ 8 Pin Superficie ISC0802NLSATMA1
- MOSFET Vishay Siliconix 110 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie Si7190ADP-T1-RE3
- MOSFET Infineon 14.4 mΩ PQFN, Superficie
- MOSFET Infineon 14.4 mΩ PQFN, Superficie IRFH5406TRPBF
- MOSFET Infineon 11.9 mΩ SO-8, Superficie
- MOSFET Infineon 17.8 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie