MOSFET Infineon, canale N 30 V, 4.8 mΩ Miglioramento, 18 A, 8 Pin, SO-8, Superficie

Codice RS:: 257-5508
Codice Distrelec:: 304-40-523
Codice costruttore:: IRF8736TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 30 V, 4.8 mΩ Miglioramento, 18 A, 8 Pin, SO-8, Superficie

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Codice RS:: 257-5508
Codice Distrelec:: 304-40-523
Codice costruttore:: IRF8736TRPBF
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	18A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	30V
	Tipo di package	SO-8
	Serie	IRF8736
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	4.8mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	1V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Dissipazione di potenza massima Pd	2.5W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	17nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 18A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V
	Tipo di package SO-8
	Serie IRF8736
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.8mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 1V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Dissipazione di potenza massima Pd 2.5W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 17nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico No

MOSFET Infineon serie IRF8736, tensione massima drain-source 30 V, corrente di drenaggio continua massima 18 A - IRF8736TRPBF

Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N progettato per la commutazione a bassa tensione e la gestione dell'alimentazione in gruppi compatti a montaggio superficiale. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è fornito in un contenitore SO-8 per il montaggio su circuito stampato. Il componente è conforme alle direttive RoHS ed è progettato per applicazioni che richiedono una conduzione efficiente e un'energia di azionamento del gate controllata.

Caratteristiche e vantaggi:

• Rds(on) di 4,8 mΩ per ridurre le perdite di conduzione e migliorare l'efficienza
• Carica gate tipica di 17 nC per una velocità di commutazione prevedibile
• Valore nominale di 30 V Vds per applicazioni di commutazione di potenza a bassa tensione
• Capacità di scarico continuo di 18 A per carichi di corrente moderati
• Dissipazione di potenza di 2,5 W per progetti compatti a budget termico

Applicazioni

• Utilizzato per la commutazione dell'alimentazione CC nei moduli di controllo
• Adatto per fasi motore-azionamento con corrente moderata
• Ideale per convertitori di potenza ad alta efficienza in spazi ristretti
• Può essere utilizzato per la commutazione del carico su gruppi compatti
• Utilizzato con driver gate che richiedono una tensione gate fino a 20 V

Quali sono i limiti di tensione di gate da rispettare?

Il dispositivo non deve essere azionato oltre un differenziale da gate a sorgente di 20 V per evitare sovratensioni di gate.

Quali temperature d'esercizio può tollerare?

È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C in ambienti termici ampi.

Come deve essere presa in considerazione la sua dissipazione termica su una scheda?

Con una dissipazione massima di 2,5 W, il layout deve includere un'area in rame o vie termiche per gestire la temperatura di giunzione.

Questo componente è adatto per progetti classificati per il settore automobilistico?

Non è classificato come dispositivo standard automobilistico ma è conforme ai requisiti RoHS.

Che tipo di contenitore e tipo di montaggio utilizza?

Il transistor è fornito in un contenitore SO-8 destinato al montaggio superficiale su gruppi di circuiti stampati.