MOSFET Vishay, canale Tipo N 60 V, 0.0054 Ω Miglioramento, 69.4 A, 8 Pin, PowerPAK 1212-8, Superficie SIS184LDN-T1-GE3

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Codice RS:
268-8341
Codice costruttore:
SIS184LDN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

69.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

SIS

Tipo di package

PowerPAK 1212-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0054Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

41nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

52W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

3.3mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza TrenchFET di generazione 5 a canale N Vishay è un dispositivo senza piombo e alogeni. Viene utilizzato in applicazioni quali rettifica sincrona, interruttore di azionamento motore, batteria e interruttore di carico.

Cifra di merito molto bassa

Conformità ROHS

Test UIS al 100%

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