MOSFET Infineon, canale Tipo N 150 V, 7.6 mΩ Miglioramento, 112 A, 3 Pin, PG-TO262-3, Foro passante IPI076N15N5AKSA1

Prezzo per 1 tubo da 50 unità*

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Codice RS:
273-3013
Codice costruttore:
IPI076N15N5AKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

112A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

PG-TO262-3

Serie

OptiMOSa5

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

214W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

61nC

Tensione diretta Vf

1.1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

JEDECforIndustrialApplications, IEC61249-2-21, RoHS

Standard automobilistico

No

I MOSFET di potenza Infineon sono particolarmente adatti per azionamenti a bassa tensione come carrelli elevatori e scooter elettrici, nonché per le applicazioni di telecomunicazioni e solari.

Più elevata densità di potenza

Prodotti più robusti

Riduzione dei costi del sistema

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