MOSFET Infineon, canale Tipo N 150 V, 7.6 mΩ Miglioramento, 112 A, 3 Pin, PG-TO262-3, Foro passante

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 unità*

5,34 €

(IVA esclusa)

6,51 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 459 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
1 - 95,34 €
10 - 244,87 €
25 - 494,46 €
50 - 994,09 €
100 +3,83 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
273-3014
Codice costruttore:
IPI076N15N5AKSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

112A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Serie

OptiMOSa5

Tipo di package

PG-TO262-3

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

214W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

61nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

JEDECforIndustrialApplications, IEC61249-2-21, RoHS

Standard automobilistico

No

I MOSFET di potenza Infineon sono particolarmente adatti per azionamenti a bassa tensione come carrelli elevatori e scooter elettrici, nonché per le applicazioni di telecomunicazioni e solari.

Più elevata densità di potenza

Prodotti più robusti

Riduzione dei costi del sistema

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.