MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 40 V, 2.0 mΩ Miglioramento, 100 A, 4 Pin, ECOPACK, Superficie STK184N4F7AG

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Codice RS:
273-5095
Codice costruttore:
STK184N4F7AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

ECOPACK

Serie

STripFETTM F7

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.0mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

35nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

136W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1.2mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Larghezza

4.8 to 5 mm

Lunghezza

6.2mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di potenza a canale N di grado automobilistico STMicroelectronics utilizza la tecnologia STripFET F7 con una struttura di gate a trincea migliorata che si traduce in una resistenza allo stato on molto bassa, riducendo al contempo la capacità interna e la carica del gate per una commutazione più rapida ed efficiente.

Certificazione AEC-Q101

Eccellente FoM

Elevata robustezza contro le valanghe

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