MOSFET Infineon, canale Tipo P 60 V, 0.13 Ω Miglioramento, -18.7 A, 3 Pin, PG-TO252-3, Superficie SPP18P06PHXKSA1

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Codice RS:
273-7552
Codice costruttore:
SPP18P06PHXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

-18.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PG-TO252-3

Serie

SPP18P06P-H

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.13Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

28nC

Tensione diretta Vf

1.33V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Dissipazione di potenza massima Pd

81.1W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

Qualified according to AEC Q101, Halogen Free according to IEC61249-2-21, RoHS

Lunghezza

40mm

Altezza

1.5mm

Larghezza

40 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Quello di Infineon è un MOSFET a canale P a piccolo segnale. Questi prodotti soddisfano costantemente i più alti requisiti di qualità e prestazioni nelle specifiche chiave per la progettazione dei sistemi di alimentazione, come la resistenza allo stato e la figura di merito. È un dispositivo privo di alogeni in conformità con IEC61249 2 21.

Conforme a RoHS

Classificato a valanga

Modalità di potenziamento

Finitura senza piombo

Qualificato in conformità con AEC Q101

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