Transistor MOSFET STMicroelectronics, canale N, 25 A, PowerFLAT 5x6 HV, Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
275-1318
Codice costruttore:
SGT65R65AL
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

25 A

Tensione massima drain source

750 V

Tipo di package

PowerFLAT 5x6 HV

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

4

Modalità del canale

Enhancement

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

GaN

Paese di origine:
CN
Il transistor powerGaN e-mode STMicroelectronics combinato con una consolidata tecnologia di imballaggio. Il dispositivo G-HEMT risultante fornisce perdite di conduzione estremamente basse, capacità di corrente elevata e funzionamento di commutazione ultrarapido per consentire un'elevata densità di potenza e prestazioni di efficienza imbattibili.

Velocità di commutazione molto elevata
Elevata capacità di gestione della potenza
Capacità estremamente basse
Pad di sorgente Kelvin per una guida ottimale del cancello
Carica di recupero inverso zero

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