STMicroelectronics, canale Tipo N 750 V, 25 A Miglioramento, PowerFLAT (5 x 6) HV, Superficie, 4 Pin SGT65R65AL

Visualizza MOSFET
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
Codice RS:
275-1317
Codice costruttore:
SGT65R65AL
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

25A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

750V

Tipo di package

PowerFLAT (5 x 6) HV

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Modalità canale

Miglioramento

Paese di origine:
CN
Il transistor powerGaN e-mode STMicroelectronics combinato con una consolidata tecnologia di imballaggio. Il dispositivo G-HEMT risultante fornisce perdite di conduzione estremamente basse, capacità di corrente elevata e funzionamento di commutazione ultrarapido per consentire un'elevata densità di potenza e prestazioni di efficienza imbattibili.

Velocità di commutazione molto elevata

Elevata capacità di gestione della potenza

Capacità estremamente basse

Pad di sorgente Kelvin per una guida ottimale del cancello

Carica di recupero inverso zero

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.