MOSFET Vishay, canale Tipo P 80 V, 0.0207 Ω Miglioramento, 44.4 A, 7 Pin, SO-8L, Superficie SIJ4819DP-T1-GE3

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Codice RS:
279-9935
Codice costruttore:
SIJ4819DP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

44.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

SO-8L

Serie

SIJ

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0207Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

65nC

Dissipazione di potenza massima Pd

73.5W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

5.13mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay è un MOSFET a canale P e il transistor in esso contenuto è realizzato in materiale noto come silicio.

MOSFET di potenza TrenchFET

Testato al 100% Rg e UIS

Meno caduta di tensione

Riduce la perdita di conduzione

Dispositivo completamente privo di piombo (Pb)

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