MOSFET Infineon, canale N, 190 mΩ, 20 A, TO-247, Su foro

Codice RS:: 354-6414
Codice costruttore:: SPW20N60S5FKSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 190 mΩ, 20 A, TO-247, Su foro

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Codice costruttore:: SPW20N60S5FKSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon CoolMOS serie S5, corrente di scarico continua massima di 20 A, dissipazione di potenza massima di 208 W - SPW20N60S5FKSA1

Questo MOSFET è stato concepito per applicazioni ad alta tensione e offre un'efficienza e prestazioni degne di nota. Svolge un ruolo fondamentale nei settori che dipendono da un'efficace gestione dell'energia e dalla funzionalità dei semiconduttori. Grazie all'avanzata tecnologia Si, funziona in modo efficiente in un ampio spettro di temperature, rendendolo adatto a una varietà di applicazioni nei sistemi di automazione ed elettrici.

Caratteristiche e vantaggi

• La configurazione a canale N migliora le capacità di commutazione
• La corrente di drenaggio continua massima di 20A consente di gestire carichi elevati
• Elevata tensione nominale di 600V per casi d'uso impegnativi
• La carica di gate ultrabassa migliora l'efficienza di commutazione
• La modalità di potenziamento consente un controllo operativo preciso

Applicazioni

• Conversione di potenza nei sistemi di automazione industriale
• Ideale per gli azionamenti dei motori e i sistemi di controllo
• Alimentatori per energie rinnovabili
• Sistemi di alimentazione UPS e di backup

Quali sono le caratteristiche di resistenza termica di questo componente?

La resistenza termica dalla giunzione all'involucro è di 0,6K/W, per una dissipazione efficace del calore durante il funzionamento.

È adatto all'uso in ambienti difficili?

Sì, funziona in un intervallo di temperatura compreso tra -55°C e +150°C, consentendo la versatilità in varie condizioni.

Qual è la tensione massima gate-source che può essere applicata?

La tensione massima del gate-source è di ±20V, per offrire flessibilità nelle condizioni di pilotaggio.

È in grado di gestire correnti di valanga ripetitive?

Sì, è in grado di gestire correnti di valanga ripetitive fino a 20A, garantendo la robustezza contro le condizioni transitorie.

Come si comporta in condizioni di scarico pulsato?

È in grado di sopportare correnti di drenaggio pulsate limitate a 40A, assicurando l'affidabilità in caso di brevi picchi di corrente elevata.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	20 A
Tensione massima drain source	600 V
Serie	CoolMOS S5
Tipo di package	TO-247
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	190 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5.5V
Tensione di soglia gate minima	3.5V
Dissipazione di potenza massima	208 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	79 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	15.9mm
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	5.3mm
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.2V
Altezza	20.95mm