MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 270 mΩ Miglioramento, 1.3 A, 4 Pin, HVMDIP, Foro passante IRLD120PBF

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Codice RS:
543-0484
Codice costruttore:
IRLD120PBF
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

1.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

IRLD

Tipo di package

HVMDIP

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

270mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

1.3W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±10 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

2.5V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.29 mm

Altezza

3.37mm

Standard automobilistico

No

MOSFET canale N, da 100V a 150V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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