MOSFET Infineon, canale N, 185 mΩ, 10 A, IPAK (TO-251), Su foro

Codice RS:: 543-1718
Codice costruttore:: IRLU120NPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 185 mΩ, 10 A, IPAK (TO-251), Su foro

Prodotto discontinuato

Codice RS:: 543-1718
Codice costruttore:: IRLU120NPBF
Costruttore:: Infineon

IRLR120NPbF / IRLU120NPbF, HEXFET Power MOSFET Data sheet(July 2014)
ESD Control Selection Guide V1

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Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	10 A
Tensione massima drain source	100 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	IPAK (TO-251)
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	185 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	48 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-16 V, +16 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Carica gate tipica @ Vgs	20 nC a 5 V
Lunghezza	6.6mm
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	2.3mm
Materiale del transistor	Si
Altezza	6.1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, 185 mΩ, 10 A, IPAK (TO-251), Su foro

MOSFET di potenza a canale N da 100V, Infineon

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