MOSFET Fairchild Semiconductor, canale N, 60 mΩ, 4,5 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
671-0501
Codice costruttore:
FDS3692
Costruttore:
Fairchild Semiconductor
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Marchio

Fairchild Semiconductor

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

4,5 A

Tensione massima drain source

100 V

Tipo di package

SOIC

Serie

UltraFET

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

60 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

2,5 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Carica gate tipica @ Vgs

11 nC a 10 V

Numero di elementi per chip

1

Lunghezza

5mm

Larghezza

4mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Materiale del transistor

Si

Altezza

1.5mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Paese di origine:
CN

MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor


I MOSFET Trench UItraFET® combinano caratteristiche che garantiscono un'elevata efficienza nelle applicazioni di conversione di potenza. Il dispositivo è in grado di sopportare un'energia elevata nella modalità a valanga e il diodo mostra un tempo di recupero inverso e una carica immagazzinata molto bassi. Ottimizzato per garantire efficienza alle alte frequenze, una bassissima resistenza RDS(on), una bassa ESR e una carica di gate totale e Miller bassa.
Applicazioni in convertitori c.c./c.c. ad alta frequenza, regolatori switching, azionamenti per motori, switch bus a bassa tensione e gestione dell'alimentazione.


Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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