- Codice RS:
- 671-0501
- Codice costruttore:
- FDS3692
- Costruttore:
- Fairchild Semiconductor
Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile
Aggiunto
Prezzo per 1pz in confezione da 5
0,826 €
(IVA esclusa)
1,008 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per Pack* |
5 - 20 | 0,826 € | 4,13 € |
25 - 95 | 0,69 € | 3,45 € |
100 - 245 | 0,532 € | 2,66 € |
250 - 495 | 0,498 € | 2,49 € |
500 + | 0,468 € | 2,34 € |
*prezzo indicativo |
- Codice RS:
- 671-0501
- Codice costruttore:
- FDS3692
- Costruttore:
- Fairchild Semiconductor
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- CN
Dettagli prodotto
MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor
I MOSFET Trench UItraFET® combinano caratteristiche che garantiscono un'elevata efficienza nelle applicazioni di conversione di potenza. Il dispositivo è in grado di sopportare un'energia elevata nella modalità a valanga e il diodo mostra un tempo di recupero inverso e una carica immagazzinata molto bassi. Ottimizzato per garantire efficienza alle alte frequenze, una bassissima resistenza RDS(on), una bassa ESR e una carica di gate totale e Miller bassa.
Applicazioni in convertitori c.c./c.c. ad alta frequenza, regolatori switching, azionamenti per motori, switch bus a bassa tensione e gestione dell'alimentazione.
Applicazioni in convertitori c.c./c.c. ad alta frequenza, regolatori switching, azionamenti per motori, switch bus a bassa tensione e gestione dell'alimentazione.
Transistor MOSFET, ON Semi
Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N |
Corrente massima continuativa di drain | 4,5 A |
Tensione massima drain source | 100 V |
Serie | UltraFET |
Tipo di package | SOIC |
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Numero pin | 8 |
Resistenza massima drain source | 60 mΩ |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate minima | 2V |
Dissipazione di potenza massima | 2,5 W |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | -20 V, +20 V |
Materiale del transistor | Si |
Larghezza | 4mm |
Lunghezza | 5mm |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
Numero di elementi per chip | 1 |
Carica gate tipica @ Vgs | 11 nC a 10 V |
Altezza | 1.5mm |
Minima temperatura operativa | -55 °C |
- Codice RS:
- 671-0501
- Codice costruttore:
- FDS3692
- Costruttore:
- Fairchild Semiconductor
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