MOSFET Fairchild Semiconductor, canale N, 110 mΩ, 14 A, TO-220AB, Su foro

Codice RS:: 671-5367
Codice costruttore:: IRF530A
Costruttore:: Fairchild Semiconductor

MOSFET Fairchild Semiconductor, canale N, 110 mΩ, 14 A, TO-220AB, Su foro

Prodotto discontinuato

Codice RS:: 671-5367
Codice costruttore:: IRF530A
Costruttore:: Fairchild Semiconductor

Datasheet
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Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	14 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	TO-220AB
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	110 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	55 W
Configurazione transistor	Singolo
Larghezza	4.7mm
Lunghezza	10.1mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+175 °C
Carica gate tipica @ Vgs	27 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	9.4mm

MOSFET Fairchild Semiconductor, canale N, 110 mΩ, 14 A, TO-220AB, Su foro

MOSFET di potenza versione avanzata, Fairchild Semiconductor

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