MOSFET Fairchild Semiconductor, canale N, 110 mΩ, 14 A, TO-220AB, Su foro

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
671-5367
Codice costruttore:
IRF530A
Costruttore:
Fairchild Semiconductor
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Marchio

Fairchild Semiconductor

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

14 A

Tensione massima drain source

100 V

Tipo di package

TO-220AB

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

110 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4V

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

55 W

Configurazione transistor

Singolo

Massima temperatura operativa

+175 °C

Numero di elementi per chip

1

Lunghezza

10.1mm

Materiale del transistor

Si

Carica gate tipica @ Vgs

27 nC a 10 V

Larghezza

4.7mm

Altezza

9.4mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

MOSFET di potenza versione avanzata, Fairchild Semiconductor


Solida tecnologia a effetto valanga
Solida tecnologia a ossido di gate
Capacità di ingresso ridotta
Carica di gate migliorata


Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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