Transistor MOSFET Vishay, canale N, 4 Ω, 900 mA, TO-205AD, Su foro

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
708-2841
Codice costruttore:
2N6661-E3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

900 mA

Tensione massima drain source

90 V

Tipo di package

TO-205AD

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

4 Ω

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

0.8V

Dissipazione di potenza massima

6,25 W

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Numero di elementi per chip

1

Massima temperatura operativa

+150 °C

Lunghezza

9.4mm

Larghezza

8.15mm

Altezza

6.6mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

MOSFET canale N, da 60V a 90V, Vishay Semiconductor



Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor

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