4 MOSFET di potenza DiodesZetex Full Bridge, canale Tipo P, Tipo N, 80 mΩ, 4.98 A 30 V, SOIC, Superficie Miglioramento,

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
751-5344
Codice costruttore:
ZXMHC3F381N8TC
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo P, Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

4.98A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

80mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

150°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.35W

Tensione diretta Vf

0.82V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9nC

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Full Bridge

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202, J-STD-020

Larghezza

4 mm

Altezza

1.5mm

Numero elementi per chip

4

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

Half-bridge complementare con MOSFET in modalità potenziata, Diodes Inc.


Transistor MOSFET, Diodes Inc.


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