4 MOSFET di potenza DiodesZetex Full Bridge, canale Tipo P, Tipo N, 80 mΩ, 4.98 A 30 V, SOIC, Superficie Miglioramento,
- Codice RS:
- 751-5344
- Codice costruttore:
- ZXMHC3F381N8TC
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 1 confezione da 5 unità*
6,29 €
(IVA esclusa)
7,68 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
- 24.290 unità in spedizione dal 21 ottobre 2026
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 1,258 € | 6,29 € |
| 25 - 120 | 0,962 € | 4,81 € |
| 125 - 620 | 0,76 € | 3,80 € |
| 625 - 1245 | 0,678 € | 3,39 € |
| 1250 + | 0,616 € | 3,08 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 751-5344
- Codice costruttore:
- ZXMHC3F381N8TC
- Costruttore:
- DiodesZetex
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | Tipo P, Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 4.98A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 80mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -20V, +20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 9nC | |
| Tensione diretta Vf | 820mV | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.35W | |
| Temperatura massima di funzionamento | +150°C | |
| Configurazione transistor | Full Bridge | |
| Larghezza | 4mm | |
| Altezza | 1.5mm | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202, J-STD-020 | |
| Numero elementi per chip | 4 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale Tipo P, Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 4.98A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 80mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 9nC | ||
Tensione diretta Vf 820mV | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.35W | ||
Temperatura massima di funzionamento +150°C | ||
Configurazione transistor Full Bridge | ||
Larghezza 4mm | ||
Altezza 1.5mm | ||
Lunghezza 5mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202, J-STD-020 | ||
Numero elementi per chip 4 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Half-bridge complementare con MOSFET in modalità potenziata, Diodes Inc.
Transistor MOSFET, Diodes Inc.
Link consigliati
- 4 MOSFET di potenza DiodesZetex Full Bridge Tipo N 4.98 A 30 V Superficie Miglioramento,
- 4 MOSFET di potenza DiodesZetex Full Bridge Tipo P 1.8 A 60 V Superficie Miglioramento,
- 4 MOSFET DiodesZetex Full Bridge Tipo N 850 mA 100 V Superficie Miglioramento, 8 Pin
- 4 MOSFET DiodesZetex Full Bridge Tipo N 7.8 A 30 V Superficie Miglioramento, 8 Pin
- 4 MOSFET di potenza DiodesZetex Full Bridge Tipo N 3.1 A 30 V 8 Pin
- 4 MOSFET di potenza DiodesZetex Full Bridge Tipo P 1.8 A 60 V 8 Pin
- IC azionamento motore DiodesZetex ZXBM5210-S-13 Motore c.c. con spazzole SOIC 0.5 A, 8 Pin
- MOSFET DiodesZetex Tipo P SOIC 8 Pin