Codice costruttore

MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 44 mΩ Miglioramento, 36 A, 3 Pin, TO-252, Superficie FDD86102

Codice RS:: 759-9471
Codice costruttore:: FDD86102
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 44 mΩ Miglioramento, 36 A, 3 Pin, TO-252, Superficie FDD86102

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Codice RS:: 759-9471
Codice costruttore:: FDD86102
Costruttore:: onsemi

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Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	36A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Serie	PowerTrench
	Tipo di package	TO-252
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	44mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	62W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	0.8V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	13.4nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	6.73mm
	Altezza	2.39mm
	Standard automobilistico	No

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	Marchio onsemi
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 36A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Serie PowerTrench
	Tipo di package TO-252
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 44mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 62W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 0.8V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 13.4nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 6.73mm
	Altezza 2.39mm
	Standard automobilistico No

MOSFET a canale N PowerTrench® da 20A a 59,9A, Fairchild Semiconductor

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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