MOSFET Renesas Electronics, canale N, 190 mΩ, 40 A, SC-67, Su foro
- Codice RS:
- 772-5396P
- Codice costruttore:
- 2SK3160-E
- Costruttore:
- Renesas Electronics
Non disponibile
RS non distribuirà più questo prodotto.
- Codice RS:
- 772-5396P
- Codice costruttore:
- 2SK3160-E
- Costruttore:
- Renesas Electronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Renesas Electronics | |
| Tipo di canale | N | |
| Corrente massima continuativa di drain | 40 A | |
| Tensione massima drain source | 200 V | |
| Tipo di package | SC-67 | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima drain source | 190 mΩ | |
| Modalità del canale | Enhancement | |
| Tensione di soglia gate massima | 2.5V | |
| Dissipazione di potenza massima | 30 W | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima gate source | -20 V, +20 V | |
| Lunghezza | 10mm | |
| Larghezza | 4.45mm | |
| Massima temperatura operativa | +150 °C | |
| Materiale del transistor | Si | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Altezza | 17mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Renesas Electronics | ||
Tipo di canale N | ||
Corrente massima continuativa di drain 40 A | ||
Tensione massima drain source 200 V | ||
Tipo di package SC-67 | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima drain source 190 mΩ | ||
Modalità del canale Enhancement | ||
Tensione di soglia gate massima 2.5V | ||
Dissipazione di potenza massima 30 W | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima gate source -20 V, +20 V | ||
Lunghezza 10mm | ||
Larghezza 4.45mm | ||
Massima temperatura operativa +150 °C | ||
Materiale del transistor Si | ||
Numero di elementi per chip 1 | ||
Altezza 17mm | ||
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