MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 11 mΩ, 67 A, Micro8

Prezzo per 1 bobina da 4800 unità*

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Codice RS:
257-9297
Codice costruttore:
IRF6674TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

67A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

Micro8

Serie

HEXFET

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

11mΩ

Tensione diretta Vf

1.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

89W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

24nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

La serie IRF Infineon è un potente mosfet di potenza IRFET a canale singolo n da 60 V in un contenitore FET mx diretto. La robusta famiglia di potenza IRFET Mosfet è ottimizzata per bassi RDS (on) e capacità di corrente elevata. I dispositivi sono ideali per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. Il portafoglio completo si rivolge a un'ampia gamma di applicazioni, tra cui motori c.c., sistemi di gestione batterie, inverter e convertitori c.c.-c.c.

Ottimizzato per la massima disponibilità da parte dei partner di distribuzione

Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC

Corrente nominale elevata

Capacità di raffreddamento su due lati

Bassa altezza del contenitore di 0,7 mm

Contenitore a bassa induttanza parassitaria (da 1 a 2 nH)

Senza piombo al 100% (nessuna esenzione RoHS)

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