MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 12.4 mΩ P, 67 A, 3 Pin, TO-252, Superficie
- Codice RS:
- 258-3834
- Codice costruttore:
- IPD12CN10NGATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*
1330,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,532 € | 1.330,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 258-3834
- Codice costruttore:
- IPD12CN10NGATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 67A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Serie | IPD | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 12.4mΩ | |
| Modalità canale | P | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 125W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 49nC | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 67A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Serie IPD | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 12.4mΩ | ||
Modalità canale P | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 125W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 49nC | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
I MOSFET di potenza OptiMOS Infineon offrono soluzioni superiori per SMPS ad alta efficienza e alta densità di potenza. Rispetto alla migliore tecnologia successiva, questa famiglia raggiunge una riduzione del 30% sia in R DS(on) che FOM
Eccellenti prestazioni di commutazione
R DS(on) più basso al mondo
Ecocompatibile
Maggiore efficienza
Massima densità di potenza
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